TIP49TU
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Technische Details TIP49TU
Description: TRANS NPN 350V 1A TO-220-3, Package / Case: TO-220-3, Packaging: Tube, Power - Max: 2 W, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 350 V, Current - Collector (Ic) (Max): 1 A, Supplier Device Package: TO-220-3, Frequency - Transition: 10MHz, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 300mA, 10V, Current - Collector Cutoff (Max): 1mA, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 200mA, 1A, Operating Temperature: 150°C (TJ), Transistor Type: NPN, Mounting Type: Through Hole.
Weitere Produktangebote TIP49TU
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde |
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TIP49TU | onsemi |
Description: TRANS NPN 350V 1A TO-220-3 Package / Case: TO-220-3 Packaging: Tube Power - Max: 2 W Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 350 V Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Supplier Device Package: TO-220-3 Frequency - Transition: 10MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 300mA, 10V Current - Collector Cutoff (Max): 1mA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 200mA, 1A Operating Temperature: 150°C (TJ) Transistor Type: NPN Mounting Type: Through Hole |
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Mindestbestellmenge: 2000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| TIP49TU | Bourns |
Bipolar Transistors - BJT |
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TIP49TU | onsemi / Fairchild |
Bipolar Transistors - BJT |
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| TIP49TU |
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Hersteller: onsemi
Description: TRANS NPN 350V 1A TO-220-3
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
Power - Max: 2 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 350 V
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Supplier Device Package: TO-220-3
Frequency - Transition: 10MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 300mA, 10V
Current - Collector Cutoff (Max): 1mA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 200mA, 1A
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Through Hole
Description: TRANS NPN 350V 1A TO-220-3
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
Power - Max: 2 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 350 V
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Supplier Device Package: TO-220-3
Frequency - Transition: 10MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 300mA, 10V
Current - Collector Cutoff (Max): 1mA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 200mA, 1A
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Through Hole
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| TIP49TU |
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Hersteller: Bourns
Bipolar Transistors - BJT
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Hersteller: onsemi / Fairchild
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