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TIP50G

TIP50G ON Semiconductor

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Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 400V 1A 40000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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Technische Details TIP50G ON Semiconductor

Description: ONSEMI - TIP50G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 400 V, 1 A, 40 W, TO-220AB, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, euEccn: NLR, rohsCompliant: Y-EX, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: -, Verlustleistung: 40W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-220AB, Dauerkollektorstrom: 1A, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: TIPxxx, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 400V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, usEccn: EAR99, Übergangsfrequenz: 10MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
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TIP50G TIP50G onsemi tip47-d.pdf Bipolar Transistors - BJT 1A 400V 40W NPN
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TIP50G TIP50G onsemi tip47-d.pdf Description: TRANS NPN 400V 1A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 200mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 1mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 300mA, 10V
Frequency - Transition: 10MHz
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V
Power - Max: 2 W
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50+1.87 EUR
100+1.67 EUR
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1000+1.21 EUR
2000+1.12 EUR
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Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 200mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 1mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 300mA, 10V
Frequency - Transition: 10MHz
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
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