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TIP50G

TIP50G ON Semiconductor

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Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 400V 1A 40000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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Technische Details TIP50G ON Semiconductor

Description: ONSEMI - TIP50G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 400 V, 1 A, 40 W, TO-220AB, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, euEccn: NLR, rohsCompliant: Y-EX, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: -, Verlustleistung: 40W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-220AB, Dauerkollektorstrom: 1A, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: TIPxxx, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 400V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, usEccn: EAR99, Übergangsfrequenz: 10MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C.

Weitere Produktangebote TIP50G nach Preis ab 0.42 EUR bis 2.2 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
TIP50G TIP50G ON Semiconductor tip47-d.pdf Trans GP BJT NPN 400V 1A 40000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 2265 Stücke:
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180+0.98 EUR
202+0.84 EUR
500+0.62 EUR
1000+0.56 EUR
2000+0.49 EUR
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Mindestbestellmenge: 180 Stücke
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Mindestbestellmenge: 169 Stücke
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TIP50G TIP50G onsemi tip47-d.pdf Description: TRANS NPN 400V 1A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 200mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 1mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 300mA, 10V
Frequency - Transition: 10MHz
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V
Power - Max: 2 W
auf Bestellung 6913 Stücke:
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10+2.15 EUR
50+1.01 EUR
100+0.89 EUR
500+0.69 EUR
1000+0.63 EUR
2000+0.57 EUR
5000+0.51 EUR
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TIP50G TIP50G onsemi tip47-d.pdf Bipolar Transistors - BJT 1A 400V 40W NPN
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2+2.2 EUR
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100+0.89 EUR
500+0.67 EUR
1000+0.58 EUR
1900+0.57 EUR
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TIP50G TIP50G ONSEMI ONSM-S-A0014426510-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - TIP50G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 400 V, 1 A, 40 W, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Verlustleistung: 40W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Dauerkollektorstrom: 1A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TIPxxx
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 400V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 10MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 378 Stücke:
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Packaging: Tube
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Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 200mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 1mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 300mA, 10V
Frequency - Transition: 10MHz
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V
Power - Max: 2 W
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Bipolar Transistors - BJT 1A 400V 40W NPN
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10+1.02 EUR
100+0.89 EUR
500+0.67 EUR
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Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - TIP50G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 400 V, 1 A, 40 W, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Verlustleistung: 40W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Dauerkollektorstrom: 1A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TIPxxx
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 400V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
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