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TISP61089BDR

Hersteller: TI

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Technische Details TISP61089BDR TI

Description: THYRISTOR 170V 30A 8SOIC, Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Capacitance: 100pF, Packaging: Tape & Reel (TR), Current - Peak Pulse (10/1000µs): 30 A, Current - Hold (Ih): 150 mA, Supplier Device Package: 8-SOIC, Voltage - Off State: 170V, Voltage - Breakover: 64V, Number of Elements: 2, Mounting Type: Surface Mount.

Weitere Produktangebote TISP61089BDR

Foto	Bezeichnung	Hersteller	Beschreibung	Verfügbarkeit	Preis
	TISP61089BDR	Bourns Inc.	Description: THYRISTOR 170V 30A 8SOIC Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Capacitance: 100pF Packaging: Tape & Reel (TR) Current - Peak Pulse (10/1000µs): 30 A Current - Hold (Ih): 150 mA Supplier Device Package: 8-SOIC Voltage - Off State: 170V Voltage - Breakover: 64V Number of Elements: 2 Mounting Type: Surface Mount	Produkt ist nicht verfügbar Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
	TISP61089BDR	Bourns	SCRs Dual P Gate Forward Conducting	Produkt ist nicht verfügbar Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

TISP61089BDR

Hersteller: Bourns Inc.
Description: THYRISTOR 170V 30A 8SOIC
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Capacitance: 100pF
Packaging: Tape & Reel (TR)
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 30 A
Current - Hold (Ih): 150 mA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Voltage - Off State: 170V
Voltage - Breakover: 64V
Number of Elements: 2
Mounting Type: Surface Mount

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TISP61089BDR

Hersteller: Bourns
SCRs Dual P Gate Forward Conducting

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