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TISP61089BDR

Hersteller: TI

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Technische Details TISP61089BDR TI

Description: THYRISTOR 170V 30A 8SOIC, Packaging: Tape & Reel (TR), Capacitance: 100pF, Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Number of Elements: 2, Voltage - Breakover: 64V, Voltage - Off State: 170V, Supplier Device Package: 8-SOIC, Current - Hold (Ih): 150 mA, Current - Peak Pulse (10/1000µs): 30 A.

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Foto	Bezeichnung	Hersteller	Beschreibung	Verfügbarkeit	Privatkunde
	TISP61089BDR	Bourns Inc.	Description: THYRISTOR 170V 30A 8SOIC Packaging: Tape & Reel (TR) Capacitance: 100pF Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Number of Elements: 2 Voltage - Breakover: 64V Voltage - Off State: 170V Supplier Device Package: 8-SOIC Current - Hold (Ih): 150 mA Current - Peak Pulse (10/1000µs): 30 A	Produkt ist nicht verfügbar Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
	TISP61089BDR	Bourns	SCRs Dual P Gate Forward Conducting	Produkt ist nicht verfügbar Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

TISP61089BDR

Hersteller: Bourns Inc.
Description: THYRISTOR 170V 30A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Capacitance: 100pF
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Number of Elements: 2
Voltage - Breakover: 64V
Voltage - Off State: 170V
Supplier Device Package: 8-SOIC
Current - Hold (Ih): 150 mA
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 30 A

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TISP61089BDR

Hersteller: Bourns
SCRs Dual P Gate Forward Conducting

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