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TJ8S06M3L(T6L1,NQ)

TJ8S06M3L(T6L1,NQ) Toshiba

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Hersteller: Toshiba
Trans MOSFET P-CH Si 60V 8A 3-Pin(2+Tab) DPAK+ T/R Automotive AEC-Q101
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Technische Details TJ8S06M3L(T6L1,NQ) Toshiba

Description: TOSHIBA - TJ8S06M3L(T6L1,NQ) - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 8 A, 0.104 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 8A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: N, MSL: -, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, Verlustleistung: 27W, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018), Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebstemperatur, max.: -, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.104ohm.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
TJ8S06M3L(T6L1,NQ) TJ8S06M3L(T6L1,NQ) Toshiba docget.pdf Trans MOSFET P-CH Si 60V 8A 3-Pin(2+Tab) DPAK+ T/R Automotive AEC-Q101
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TJ8S06M3L(T6L1,NQ) TJ8S06M3L(T6L1,NQ) TOSHIBA TOSC-S-A0010894594-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: TOSHIBA - TJ8S06M3L(T6L1,NQ) - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 8 A, 0.104 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
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Transistormontage: Oberflächenmontage
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Qualifikation: AEC-Q101
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Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 27W
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
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usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: -
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.104ohm
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TJ8S06M3L(T6L1,NQ) TJ8S06M3L(T6L1,NQ) TOSHIBA TOSC-S-A0010894594-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: TOSHIBA - TJ8S06M3L(T6L1,NQ) - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 8 A, 0.104 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
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Anzahl der Pins: 3Pin(s)
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Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: -
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.104ohm
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TJ8S06M3L(T6L1,NQ)
Hersteller: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TJ8S06M3L(T6L1,NQ) - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 8 A, 0.104 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
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Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
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Kanaltyp: p-Kanal
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Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.104ohm
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