| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 27+ | 6.59 EUR |
| 28+ | 6.21 EUR |
| 50+ | 5.84 EUR |
| 100+ | 5.52 EUR |
| 250+ | 5.27 EUR |
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Technische Details TK090E65Z,S1X(S Toshiba
Description: TOSHIBA - TK090E65Z,S1X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 30 A, 0.075 ohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Durchsteckmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 30A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, Verlustleistung: 230W, SVHC: To Be Advised, Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.075ohm.
Weitere Produktangebote TK090E65Z,S1X(S nach Preis ab 6.66 EUR bis 15.61 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||
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TK090E65Z,S1X(S | Toshiba |
Trans MOSFET N-CH Si 650V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-220 |
auf Bestellung 600 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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TK090E65Z,S1X(S | Toshiba |
Trans MOSFET N-CH Si 650V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-220 |
auf Bestellung 600 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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TK090E65Z,S1X(S | TOSHIBA |
Description: TOSHIBA - TK090E65Z,S1X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 30 A, 0.075 ohm, TO-220, DurchsteckmontagetariffCode: 85412100 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 30A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 230W SVHC: To Be Advised Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.075ohm |
auf Bestellung 240 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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TK090E65Z,S1X(S | Toshiba |
Trans MOSFET N-CH Si 650V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-220 |
auf Bestellung 14 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||
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TK090E65Z,S1X(S | Toshiba |
Trans MOSFET N-CH Si 650V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-220 |
auf Bestellung 14 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| TK090E65Z,S1X(S |
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Hersteller: Toshiba
Trans MOSFET N-CH Si 650V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-220
Trans MOSFET N-CH Si 650V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-220
auf Bestellung 600 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 300+ | 7.13 EUR |
| 500+ | 6.81 EUR |
| TK090E65Z,S1X(S |
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Hersteller: Toshiba
Trans MOSFET N-CH Si 650V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-220
Trans MOSFET N-CH Si 650V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-220
auf Bestellung 600 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 300+ | 7.13 EUR |
| 500+ | 6.66 EUR |
| TK090E65Z,S1X(S |
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Hersteller: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TK090E65Z,S1X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 30 A, 0.075 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 230W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.075ohm
Description: TOSHIBA - TK090E65Z,S1X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 30 A, 0.075 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 230W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.075ohm
auf Bestellung 240 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 16+ | 15.61 EUR |
| 29+ | 8.08 EUR |
| 100+ | 6.66 EUR |
| TK090E65Z,S1X(S |
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Hersteller: Toshiba
Trans MOSFET N-CH Si 650V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-220
Trans MOSFET N-CH Si 650V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-220
auf Bestellung 14 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| TK090E65Z,S1X(S |
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Hersteller: Toshiba
Trans MOSFET N-CH Si 650V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-220
Trans MOSFET N-CH Si 650V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-220
auf Bestellung 14 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)



