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TK090U65Z,RQ

TK090U65Z,RQ Toshiba

tk090u65z_datasheet_en_20201023.pdf Hersteller: Toshiba
Trans MOSFET N-CH Si 650V 30A 9-Pin(8+Tab) TOLL T/R
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Technische Details TK090U65Z,RQ Toshiba

Description: DTMOS VI TOLL PD=230W F=1MHZ, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerSFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 150°C, Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 15A, 10V, Power Dissipation (Max): 230W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1.27mA, Supplier Device Package: TOLL, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2780 pF @ 300 V.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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TK090U65Z,RQ TK090U65Z,RQ Hersteller : Toshiba tk090u65z_datasheet_en_20201023.pdf Trans MOSFET N-CH Si 650V 30A 9-Pin(8+Tab) TOLL T/R
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TK090U65Z,RQ TK090U65Z,RQ Hersteller : Toshiba TK090U65Z_datasheet_en_20201023-2005164.pdf MOSFETs POWER MOSFET TRANSISTOR TOLL PD=230W F=1MHZ
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TK090U65Z,RQ TK090U65Z,RQ Hersteller : Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=69970&prodName=TK090U65Z Description: DTMOS VI TOLL PD=230W F=1MHZ
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1.27mA
Supplier Device Package: TOLL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2780 pF @ 300 V
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10+6.72 EUR
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1000+4.05 EUR
Mindestbestellmenge: 2
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TK090U65Z,RQ TK090U65Z,RQ Hersteller : Toshiba tk090u65z_datasheet_en_20201023.pdf Trans MOSFET N-CH Si 650V 30A 9-Pin(8+Tab) TOLL T/R
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TK090U65Z,RQ TK090U65Z,RQ Hersteller : Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=69970&prodName=TK090U65Z Description: DTMOS VI TOLL PD=230W F=1MHZ
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1.27mA
Supplier Device Package: TOLL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2780 pF @ 300 V
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