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TK090U65Z,RQ

TK090U65Z,RQ Toshiba Semiconductor and Storage

docget.jsp?did=69970&prodName=TK090U65Z
Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DTMOS VI TOLL PD=230W F=1MHZ
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2780 pF @ 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TOLL
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1.27mA
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 15A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerSFN
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 2118 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
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10+8 EUR
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Technische Details TK090U65Z,RQ Toshiba Semiconductor and Storage

Description: DTMOS VI TOLL PD=230W F=1MHZ, Vgs (Max): ±30V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2780 pF @ 300 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 15A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: 150°C, Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: 8-PowerSFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Part Status: Active, Supplier Device Package: TOLL, Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1.27mA, Power Dissipation (Max): 230W (Tc).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
TK090U65Z,RQ TK090U65Z,RQ Toshiba 3443333841443734393630413233424444394441433033453130314341423346.pdf MOSFETs POWER MOSFET TRANSISTOR TOLL PD=230W F=1MHZ
auf Bestellung 1035 Stücke:
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TK090U65Z,RQ 3443333841443734393630413233424444394441433033453130314341423346.pdf
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