TK100A06N1,S4X(S TOSHIBA
Hersteller: TOSHIBA
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 263A; 45W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 263A
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.7mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 0.14µC
Power dissipation: 45W
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Technische Details TK100A06N1,S4X(S TOSHIBA
Category: THT N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 263A; 45W; TO220FP, Type of transistor: N-MOSFET, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 60V, Drain current: 263A, Case: TO220FP, Gate-source voltage: ±20V, On-state resistance: 2.7mΩ, Mounting: THT, Kind of package: tube, Kind of channel: enhancement, Gate charge: 0.14µC, Power dissipation: 45W.
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde |
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TK100A06N1 | Toshiba |
MOSFET High Speed, Low-Voltage N-CH MOSFET 60V |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| TK100A06N1 |
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Hersteller: Toshiba
MOSFET High Speed, Low-Voltage N-CH MOSFET 60V
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