TK100E10N1,S1X(S TOSHIBA
Hersteller: TOSHIBA
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 100A; 255W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 100A
Power dissipation: 255W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.8mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.14µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 28+ | 3.15 EUR |
| 31+ | 2.82 EUR |
| 35+ | 2.5 EUR |
| 50+ | 2.25 EUR |
| 250+ | 2.13 EUR |
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Technische Details TK100E10N1,S1X(S TOSHIBA
Category: THT N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 100A; 255W; TO220AB, Type of transistor: N-MOSFET, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 100V, Drain current: 100A, Power dissipation: 255W, Case: TO220AB, Gate-source voltage: ±20V, On-state resistance: 2.8mΩ, Mounting: THT, Gate charge: 0.14µC, Kind of package: tube, Kind of channel: enhancement.
Weitere Produktangebote TK100E10N1,S1X(S
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde |
|---|---|---|---|---|---|
 |
TK100E10N1 | Toshiba | MOSFETs High Speed, Low-Voltage N-CH MOSFET 100V |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| TK100E10N1 |
Hersteller: Toshiba
MOSFETs High Speed, Low-Voltage N-CH MOSFET 100V
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