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TK10A80E,S4X

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Produktcode: 203788
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Transistoren > MOSFET N-CH

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
TK10A80E,S4X TK10A80E,S4X Toshiba 1DE45D64169B5E5A59B307512FA205AC17D97A112E57AB0802B253244EFCEEDE.pdf MOSFETs PLN MOS 800V 1000m (VGS=10V) TO-220SIS
auf Bestellung 161 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+5.84 EUR
10+3.36 EUR
100+3.14 EUR
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TK10A80E,S4X TK10A80E,S4X Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=14235&prodName=TK10A80E Description: MOSFET N-CH 800V 10A TO220SIS
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220SIS
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 25 V
auf Bestellung 43 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+6.47 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
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TK10A80E,S4X
Hersteller: Toshiba
MOSFETs PLN MOS 800V 1000m (VGS=10V) TO-220SIS
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TK10A80E,S4X
Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 800V 10A TO220SIS
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220SIS
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
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BXP12N65F
Produktcode: 203790
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Transistoren > MOSFET N-CH
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UC2845AN
Produktcode: 74079
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Verschiedene Bauteile > Other components 3
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0,1 Ohm 5% 2W вив. (MOR200SJTB-0R1-Hitano)
Produktcode: 25198
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MOR_080911.pdf
0,1 Ohm 5% 2W вив. (MOR200SJTB-0R1-Hitano)
Hersteller: Hitano
Widerstande THT > Widerstande THT - 2W
Nennwiderstand: 0,1 Ohm
Toleranz und TKW: ±5%
P Nenn., W: 2 W
U Betriebs., V: 500 V
Abmessungen: 11x4,0 mm; D Anschluss = 0,76 mm
Typ: Metalloxid, Miniatur
-55...+125°C
HS-Code: 8533210000
verfügbar: 2850 St.
  • 120 St. - stock Köln
  • 2730 St. - lieferbar in 3-4 Wochen
AnzahlPrivatkunde
1+0.081 EUR
10+0.065 EUR
100+0.05 EUR
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10 Ohm 5% 0,25W bedrahtet (CR025SJTB-10R-Hitano)
Produktcode: 11065
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CR-S_080911.pdf
10 Ohm 5% 0,25W bedrahtet (CR025SJTB-10R-Hitano)
Hersteller: Hitano
Widerstande THT > Widerstande THT - 0,25W
Widerstandswert: 10 Ohm
Toleranz: ±5%
Nennleistung, W: 0,25 W
Betriebsspannung, V: 250 V
Abmessungen: 3,2x1,6 mm; D-Anschl.=0,45 mm
Typ: Kohleschicht
verfügbar: 10048 St.
  • 1500 St. - stock Köln
  • 8548 St. - lieferbar in 3-4 Wochen
erwartet: 500 St.
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    Mindestbestellmenge: 10 St.
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