Technische Details TK12A50D(STA4,X,S) Toshiba
Transistoren > MOSFET N-CH, Gehäuse: TO-220F, Drain-Source-Spannung Uds, V: 500 В, Drain-Strom Idd, A: 12 А, Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,45 Ом, Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 1350/25, Montage: THT.
Weitere Produktangebote TK12A50D(STA4,X,S)
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde |
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TK12A50D(STA4,X,S) | Toshiba |
 Trans MOSFET N-CH Si 500V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS |
auf Bestellung 5 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 5 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| TK12A50D(STA4,X,S) |
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Hersteller: Toshiba
Trans MOSFET N-CH Si 500V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS
Trans MOSFET N-CH Si 500V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS
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