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Technische Details TK12A60W,S4VX Toshiba
Description: MOSFET N-CH 600V 11.5A TO220SIS, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.5A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 5.8A, 10V, Power Dissipation (Max): 35W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 600µA, Supplier Device Package: TO-220SIS, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 890 pF @ 300 V.
Weitere Produktangebote TK12A60W,S4VX nach Preis ab 4.01 EUR bis 5.95 EUR
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TK12A60W,S4VX | Hersteller : Toshiba Semiconductor and Storage |
 Description: MOSFET N-CH 600V 11.5A TO220SISPackaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 5.8A, 10V Power Dissipation (Max): 35W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 600µA Supplier Device Package: TO-220SIS Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 890 pF @ 300 V |
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TK12A60W,S4VX | Hersteller : Toshiba |
Trans MOSFET N-CH Si 600V 11.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Magazine |
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TK12A60W,S4VX | Hersteller : Toshiba |
Trans MOSFET N-CH Si 600V 11.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Magazine |
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TK12A60W,S4VX Produktcode: 173725
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Transistoren > MOSFET N-CH |
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TK12A60W,S4VX | Hersteller : Toshiba |
Trans MOSFET N-CH Si 600V 11.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Magazine |
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TK12A60W,S4VX | Hersteller : Toshiba |
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