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TK12A60W Toshiba



Hersteller: Toshiba

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Technische Details TK12A60W Toshiba

Category: THT N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 11.5A; Idm: 46A; 35W; TO220FP, On-state resistance: 0.3Ω, Mounting: THT, Pulsed drain current: 46A, Power dissipation: 35W, Gate charge: 25nC, Polarisation: unipolar, Drain current: 11.5A, Kind of channel: enhancement, Drain-source voltage: 600V, Type of transistor: N-MOSFET, Gate-source voltage: ±30V, Kind of package: tube, Case: TO220FP.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
TK12A60W,S4VX(M TK12A60W,S4VX(M TOSHIBA TK12A60W.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 11.5A; Idm: 46A; 35W; TO220FP
On-state resistance: 0.3Ω
Mounting: THT
Pulsed drain current: 46A
Power dissipation: 35W
Gate charge: 25nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 11.5A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 600V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±30V
Kind of package: tube
Case: TO220FP
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
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TK12A60W,S4VX(M TK12A60W.pdf
Hersteller: TOSHIBA
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 11.5A; Idm: 46A; 35W; TO220FP
On-state resistance: 0.3Ω
Mounting: THT
Pulsed drain current: 46A
Power dissipation: 35W
Gate charge: 25nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 11.5A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 600V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±30V
Kind of package: tube
Case: TO220FP
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