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Technische Details TK12Q60W,S1VQ(S Toshiba
Category: THT N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 11.5A; Idm: 46A; 100W; IPAK, Type of transistor: N-MOSFET, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 600V, Drain current: 11.5A, Pulsed drain current: 46A, Power dissipation: 100W, Case: IPAK, Gate-source voltage: ±30V, On-state resistance: 0.34Ω, Mounting: THT, Kind of package: tube, Kind of channel: enhancement.
Weitere Produktangebote TK12Q60W,S1VQ(S
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde |
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TK12Q60W,S1VQ(S | Toshiba |
 Trans MOSFET N-CH Si 600V 11.5A 3-Pin(3+Tab) IPAK |
auf Bestellung 64 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 3 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| TK12Q60W,S1VQ(S |
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Hersteller: Toshiba
Trans MOSFET N-CH Si 600V 11.5A 3-Pin(3+Tab) IPAK
Trans MOSFET N-CH Si 600V 11.5A 3-Pin(3+Tab) IPAK
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Lieferzeit 14-21 Tag (e)