TK14G65W5,RQ(S TOSHIBA
Hersteller: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TK14G65W5,RQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 13.7 A, 0.25 ohm, D2PAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
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Qualifikation: -
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Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
Verlustleistung: 130W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: D2PAK
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
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Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.25ohm
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 15+ | 17.27 EUR |
| 24+ | 9.87 EUR |
| 100+ | 5.72 EUR |
| 500+ | 4.24 EUR |
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Technische Details TK14G65W5,RQ(S TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TK14G65W5,RQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 13.7 A, 0.25 ohm, D2PAK, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 13.7A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V, Verlustleistung: 130W, SVHC: To Be Advised, Bauform - Transistor: D2PAK, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.25ohm.
Weitere Produktangebote TK14G65W5,RQ(S nach Preis ab 4.24 EUR bis 17.27 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||
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TK14G65W5,RQ(S | TOSHIBA |
Description: TOSHIBA - TK14G65W5,RQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 13.7 A, 0.25 ohm, D2PAK, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 13.7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V Verlustleistung: 130W SVHC: To Be Advised Bauform - Transistor: D2PAK Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.25ohm |
auf Bestellung 955 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| TK14G65W5,RQ(S |
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Hersteller: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TK14G65W5,RQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 13.7 A, 0.25 ohm, D2PAK, Oberflächenmontage
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Description: TOSHIBA - TK14G65W5,RQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 13.7 A, 0.25 ohm, D2PAK, Oberflächenmontage
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auf Bestellung 955 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
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| 15+ | 17.27 EUR |
| 24+ | 9.87 EUR |
| 100+ | 5.72 EUR |
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