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Technische Details TK155A65Z,S4X(S Toshiba
Description: TOSHIBA - TK155A65Z,S4X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 18 A, 0.13 ohm, TO-220SIS, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 18A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 40W, Bauform - Transistor: TO-220SIS, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.13ohm, SVHC: To Be Advised.
Weitere Produktangebote TK155A65Z,S4X(S nach Preis ab 2.7 EUR bis 4.39 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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TK155A65Z,S4X(S | Hersteller : Toshiba |
 Trans MOSFET N-CH 650V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS |
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TK155A65Z,S4X(S | Hersteller : TOSHIBA |
Description: TOSHIBA - TK155A65Z,S4X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 18 A, 0.13 ohm, TO-220SIS, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 18A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 40W Bauform - Transistor: TO-220SIS Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.13ohm SVHC: To Be Advised |
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| TK155A65Z,S4X(S | Hersteller : Toshiba | PWR-MOSFET N-CHANNEL |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| TK155A65Z,S4X(S | Hersteller : TOSHIBA |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET Type of transistor: N-MOSFET |
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