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TK15J50D(F) Toshiba

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Hersteller: Toshiba
Trans MOSFET N-CH Si 500V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-3PN

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Technische Details TK15J50D(F) Toshiba

Category: THT N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 15A; 210W; TO3PN, Type of transistor: N-MOSFET, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 500V, Drain current: 15A, Power dissipation: 210W, Case: TO3PN, Gate-source voltage: ±30V, On-state resistance: 0.4Ω, Mounting: THT, Gate charge: 38nC, Kind of package: tube, Kind of channel: enhancement.

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Foto	Bezeichnung	Hersteller	Beschreibung	Verfügbarkeit	Privatkunde
	TK15J50D(F)	Toshiba	MOSFETs TO3P 500V 15A N-CH	Produkt ist nicht verfügbar Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
	TK15J50D(F)	TOSHIBA	Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 15A; 210W; TO3PN Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 15A Power dissipation: 210W Case: TO3PN Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.4Ω Mounting: THT Gate charge: 38nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement	Produkt ist nicht verfügbar Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

TK15J50D(F)

Hersteller: Toshiba
MOSFETs TO3P 500V 15A N-CH

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TK15J50D(F)

Hersteller: TOSHIBA
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 15A; 210W; TO3PN
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 15A
Power dissipation: 210W
Case: TO3PN
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 38nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement

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