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TK17A65W,S5X(M TOSHIBA

Hersteller: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TK17A65W,S5X(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 17.3 A, 0.17 ohm, TO-220SIS, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 17.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 45W
Bauform - Transistor: TO-220SIS
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.17ohm
SVHC: To Be Advised

auf Bestellung 50 Stücke:

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Technische Details TK17A65W,S5X(M TOSHIBA

Description: TOSHIBA - TK17A65W,S5X(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 17.3 A, 0.17 ohm, TO-220SIS, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 17.3A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 45W, Bauform - Transistor: TO-220SIS, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.17ohm, SVHC: To Be Advised.

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Foto	Bezeichnung	Hersteller	Beschreibung	Verfügbarkeit	Preis
	TK17A65W,S5X(M	Hersteller : Toshiba	Trans MOSFET N-CH Si 650V 17.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS	auf Bestellung 50 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e)	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
	TK17A65W,S5X(M	Hersteller : Toshiba	MOSFETs Silicon N-Channel MOS	Produkt ist nicht verfügbar	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH