| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 31+ | 5.83 EUR |
| 35+ | 5.05 EUR |
| 39+ | 4.37 EUR |
| 50+ | 4.01 EUR |
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Technische Details TK17A65W5,S5X(M Toshiba
Description: TOSHIBA - TK17A65W5,S5X(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 17.3 A, 0.19 ohm, TO-220SIS, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 17.3A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 45W, Bauform - Transistor: TO-220SIS, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.19ohm, SVHC: To Be Advised.
Weitere Produktangebote TK17A65W5,S5X(M
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde |
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TK17A65W5,S5X(M | TOSHIBA |
Description: TOSHIBA - TK17A65W5,S5X(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 17.3 A, 0.19 ohm, TO-220SIS, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 17.3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 45W Bauform - Transistor: TO-220SIS Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.19ohm SVHC: To Be Advised |
auf Bestellung 36 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| TK17A65W5,S5X(M |
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Hersteller: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TK17A65W5,S5X(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 17.3 A, 0.19 ohm, TO-220SIS, Durchsteckmontage
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Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 17.3A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 45W
Bauform - Transistor: TO-220SIS
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.19ohm
SVHC: To Be Advised
Description: TOSHIBA - TK17A65W5,S5X(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 17.3 A, 0.19 ohm, TO-220SIS, Durchsteckmontage
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Qualifikation: -
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Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
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Verlustleistung: 45W
Bauform - Transistor: TO-220SIS
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.19ohm
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 36 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)



