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TK20A60W,S5VX(M

TK20A60W,S5VX(M Toshiba

153396125583938153395447369412tk20a60w_datasheet_en_20160908.pdf.pdf Hersteller: Toshiba
Trans MOSFET N-CH Si 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS
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Technische Details TK20A60W,S5VX(M Toshiba

Description: TOSHIBA - TK20A60W,S5VX(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 20 A, 0.13 ohm, TO-220SIS, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 20A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 45W, Bauform - Transistor: TO-220SIS, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.13ohm, SVHC: Boric acid (14-Jun-2023).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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TK20A60W,S5VX(M TK20A60W,S5VX(M Hersteller : TOSHIBA TK20A60W.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20A; 45W; TO220FP
Mounting: THT
Case: TO220FP
Kind of package: tube
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 20A
On-state resistance: 0.13Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 45W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 48nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±30V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 240 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
18+4.15 EUR
20+ 3.72 EUR
24+ 3.06 EUR
25+ 2.9 EUR
250+ 2.79 EUR
Mindestbestellmenge: 18
TK20A60W,S5VX(M TK20A60W,S5VX(M Hersteller : TOSHIBA TK20A60W.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20A; 45W; TO220FP
Mounting: THT
Case: TO220FP
Kind of package: tube
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 20A
On-state resistance: 0.13Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 45W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 48nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±30V
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TK20A60W,S5VX(M TK20A60W,S5VX(M Hersteller : TOSHIBA 3934659.pdf Description: TOSHIBA - TK20A60W,S5VX(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 20 A, 0.13 ohm, TO-220SIS, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 45W
Bauform - Transistor: TO-220SIS
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.13ohm
SVHC: Boric acid (14-Jun-2023)
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TK20A60W,S5VX(M TK20A60W,S5VX(M Hersteller : Toshiba 153396125583938153395447369412tk20a60w_datasheet_en_20160908.pdf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS
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