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Technische Details TK20A60W,S5VX(M Toshiba
Description: TOSHIBA - TK20A60W,S5VX(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 20 A, 0.13 ohm, TO-220SIS, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 20A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 45W, Bauform - Transistor: TO-220SIS, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.13ohm, SVHC: To Be Advised.
Weitere Produktangebote TK20A60W,S5VX(M nach Preis ab 2.27 EUR bis 4.15 EUR
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TK20A60W,S5VX(M | Hersteller : Toshiba |
 Trans MOSFET N-CH Si 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS |
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TK20A60W,S5VX(M | Hersteller : TOSHIBA |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20A; 45W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 20A Case: TO220FP Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.13Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Power dissipation: 45W Gate charge: 48nC Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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TK20A60W,S5VX(M | Hersteller : TOSHIBA |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20A; 45W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 20A Case: TO220FP Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.13Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Power dissipation: 45W Gate charge: 48nC |
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TK20A60W,S5VX(M | Hersteller : TOSHIBA |
Description: TOSHIBA - TK20A60W,S5VX(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 20 A, 0.13 ohm, TO-220SIS, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 20A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 45W Bauform - Transistor: TO-220SIS Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.13ohm SVHC: To Be Advised |
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TK20A60W,S5VX(M | Hersteller : Toshiba |
Trans MOSFET N-CH Si 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS |
Produkt ist nicht verfügbar |
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TK20A60W,S5VX(M | Hersteller : Toshiba |
Trans MOSFET N-CH Si 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS |
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