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TK20E60W,S1VX

TK20E60W,S1VX Toshiba Semiconductor and Storage

TK20E60W_datasheet_en_20131226.pdf?did=13839&prodName=TK20E60W Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 600V 20A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 155mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 165W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1680 pF @ 300 V
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Technische Details TK20E60W,S1VX Toshiba Semiconductor and Storage

Description: MOSFET N-CH 600V 20A TO220, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 155mOhm @ 10A, 10V, Power Dissipation (Max): 165W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 1mA, Supplier Device Package: TO-220, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1680 pF @ 300 V.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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TK20E60W,S1VX TK20E60W,S1VX Hersteller : Toshiba 2241tk20e60w_datasheet_en_20131226.pdf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
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