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Technische Details TK25E60X,S1X(S) Toshiba
Description: TOSHIBA - TK25E60X,S1X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 25 A, 0.105 ohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 25A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 180W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 180W, Bauform - Transistor: TO-220, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: PW Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.105ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.105ohm, SVHC: No SVHC (17-Jan-2022).
Weitere Produktangebote TK25E60X,S1X(S) nach Preis ab 2.97 EUR bis 4.36 EUR
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TK25E60X,S1X(S | Hersteller : Toshiba |
 Trans MOSFET N-CH Si 600V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-220 |
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TK25E60X,S1X(S | Hersteller : TOSHIBA |
Description: TOSHIBA - TK25E60X,S1X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 25 A, 0.105 ohm, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 25A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 180W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 180W Bauform - Transistor: TO-220 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: PW Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.105ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.105ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2022) |
auf Bestellung 446 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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TK25E60X,S1X(S | Hersteller : Toshiba |
Silicon N-Channel MOSFETs |
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