TK30A06N1,S4X(S Toshiba
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Technische Details TK30A06N1,S4X(S Toshiba
Description: TOSHIBA - TK30A06N1,S4X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 43 A, 0.0122 ohm, TO-220SIS, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 43A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 25W, Bauform - Transistor: TO-220SIS, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0122ohm, SVHC: To Be Advised.
Weitere Produktangebote TK30A06N1,S4X(S nach Preis ab 0.58 EUR bis 1.50 EUR
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TK30A06N1,S4X(S | Hersteller : Toshiba |
 Trans MOSFET N-CH Si 60V 43A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Magazine |
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TK30A06N1,S4X(S | Hersteller : Toshiba |
Trans MOSFET N-CH Si 60V 43A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Magazine |
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TK30A06N1,S4X(S | Hersteller : TOSHIBA |
Description: TOSHIBA - TK30A06N1,S4X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 43 A, 0.0122 ohm, TO-220SIS, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 43A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 25W Bauform - Transistor: TO-220SIS Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0122ohm SVHC: To Be Advised |
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TK30A06N1,S4X(S | Hersteller : Toshiba |
Trans MOSFET N-CH Si 60V 43A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Magazine |
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TK30A06N1,S4X(S | Hersteller : Toshiba |
Trans MOSFET N-CH Si 60V 43A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Magazine |
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