Technische Details TK30A06N1,S4X(S Toshiba
Description: TOSHIBA - TK30A06N1,S4X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 43 A, 0.0122 ohm, TO-220SIS, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 43A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, Verlustleistung: 25W, SVHC: To Be Advised, Bauform - Transistor: TO-220SIS, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0122ohm.
Weitere Produktangebote TK30A06N1,S4X(S nach Preis ab 0.96 EUR bis 6.09 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||
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TK30A06N1,S4X(S | Toshiba |
 Trans MOSFET N-CH Si 60V 43A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Magazine |
auf Bestellung 171 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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TK30A06N1,S4X(S | TOSHIBA |
Description: TOSHIBA - TK30A06N1,S4X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 43 A, 0.0122 ohm, TO-220SIS, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 43A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 25W SVHC: To Be Advised Bauform - Transistor: TO-220SIS Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0122ohm |
auf Bestellung 2602 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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TK30A06N1,S4X(S | Toshiba |
Trans MOSFET N-CH Si 60V 43A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Magazine |
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Mindestbestellmenge: 15 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||
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TK30A06N1,S4X(S | Toshiba |
Trans MOSFET N-CH Si 60V 43A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Magazine |
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Mindestbestellmenge: 150 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| TK30A06N1,S4X(S |
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Hersteller: Toshiba
Trans MOSFET N-CH Si 60V 43A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Magazine
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| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 136+ | 1.44 EUR |
| TK30A06N1,S4X(S |
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Hersteller: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TK30A06N1,S4X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 43 A, 0.0122 ohm, TO-220SIS, Durchsteckmontage
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Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 25W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TO-220SIS
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0122ohm
Description: TOSHIBA - TK30A06N1,S4X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 43 A, 0.0122 ohm, TO-220SIS, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
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Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 25W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TO-220SIS
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0122ohm
auf Bestellung 2602 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
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| 41+ | 6.09 EUR |
| 97+ | 2.42 EUR |
| 143+ | 1.5 EUR |
| 500+ | 1.11 EUR |
| 1000+ | 0.96 EUR |
| TK30A06N1,S4X(S |
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Hersteller: Toshiba
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auf Bestellung 15 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| TK30A06N1,S4X(S |
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Hersteller: Toshiba
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Lieferzeit 14-21 Tag (e)