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TK31E60W,S1VX(S

TK31E60W,S1VX(S Toshiba

10tk31e60w_en_datasheet.pdf
Hersteller: Toshiba
Trans MOSFET N-CH Si 600V 30.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220
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Technische Details TK31E60W,S1VX(S Toshiba

Description: TOSHIBA - TK31E60W,S1VX(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 30.8 A, 0.073 ohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 30.8A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V, Verlustleistung: 230W, SVHC: To Be Advised, Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.073ohm.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
TK31E60W,S1VX(S TK31E60W,S1VX(S Toshiba 10tk31e60w_en_datasheet.pdf Trans MOSFET N-CH Si 600V 30.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220
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TK31E60W,S1VX(S TK31E60W,S1VX(S TOSHIBA Description: TOSHIBA - TK31E60W,S1VX(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 30.8 A, 0.073 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
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Transistormontage: Durchsteckmontage
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Qualifikation: -
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Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V
Verlustleistung: 230W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.073ohm
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Dauer-Drainstrom Id: 30.8A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
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