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Technische Details TK31E60W,S1VX Toshiba
Description: MOSFET N-CH 600V 30.8A TO220, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30.8A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 88mOhm @ 15.4A, 10V, Power Dissipation (Max): 230W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 1.5mA, Supplier Device Package: TO-220, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 300 V.
Weitere Produktangebote TK31E60W,S1VX
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt |
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TK31E60W,S1VX | Hersteller : Toshiba |
 Trans MOSFET N-CH Si 600V 30.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
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TK31E60W,S1VX | Hersteller : Toshiba |
Trans MOSFET N-CH Si 600V 30.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
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TK31E60W,S1VX | Hersteller : Toshiba |
Trans MOSFET N-CH Si 600V 30.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
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TK31E60W,S1VX | Hersteller : Toshiba |
Trans MOSFET N-CH Si 600V 30.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
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| TK31E60W,S1VX | Hersteller : Toshiba |
Trans MOSFET N-CH Si 600V 30.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
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TK31E60W,S1VX | Hersteller : Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: MOSFET N-CH 600V 30.8A TO220 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30.8A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 88mOhm @ 15.4A, 10V Power Dissipation (Max): 230W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 1.5mA Supplier Device Package: TO-220 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 300 V |
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