TK31N60X,S1F


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Produktcode: 169333
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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
TK31N60X,S1F TK31N60X,S1F Toshiba BD1DB67D3CFC24ED95F9670F32A48174B3ABC680A8EB47833655AA6866702A7F.pdf MOSFETs DTMOSIV-H/S 600V 88mOhmmax(VGS=10V)
auf Bestellung 9 Stücke:
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TK31N60X,S1F TK31N60X,S1F Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=14734&prodName=TK31N60X Description: MOSFET N-CH 600V 30.8A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 88mOhm @ 9.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1.5mA
Supplier Device Package: TO-247
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 300 V
auf Bestellung 23 Stücke:
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Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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Hersteller: Toshiba
MOSFETs DTMOSIV-H/S 600V 88mOhmmax(VGS=10V)
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Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 600V 30.8A TO247
Packaging: Tube
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Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
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Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1.5mA
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Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
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