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TK31N60X,S1F

TK31N60X,S1F Toshiba

TK31N60X_datasheet_en_20140228-1144161.pdf Hersteller: Toshiba
MOSFETs DTMOSIV-H/S 600V 88mOhmmax(VGS=10V)
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Technische Details TK31N60X,S1F Toshiba

Description: MOSFET N-CH 600V 30.8A TO247, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30.8A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 88mOhm @ 9.4A, 10V, Power Dissipation (Max): 230W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1.5mA, Supplier Device Package: TO-247, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 300 V.

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TK31N60X,S1F TK31N60X,S1F Hersteller : Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=14734&prodName=TK31N60X Description: MOSFET N-CH 600V 30.8A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 88mOhm @ 9.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1.5mA
Supplier Device Package: TO-247
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 300 V
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TK31N60X,S1F
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TK31N60X,S1F TK31N60X,S1F Hersteller : Toshiba 1544docget.jsptypedatasheetlangenpidtk31n60x.jsptypedatasheetlangenpi.pdf Trans MOSFET N-CH Si 600V 30.8A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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TK31N60X,S1F TK31N60X,S1F Hersteller : Toshiba 1544docget.jsptypedatasheetlangenpidtk31n60x.jsptypedatasheetlangenpi.pdf Trans MOSFET N-CH Si 600V 30.8A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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