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TK34E10N1,S1X(S

TK34E10N1,S1X(S TOSHIBA

TK34E10N1.pdf
Hersteller: TOSHIBA
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 75A; 103W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 75A
Power dissipation: 103W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 38nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
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Technische Details TK34E10N1,S1X(S TOSHIBA

Category: THT N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 75A; 103W; TO220-3, Type of transistor: N-MOSFET, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 100V, Drain current: 75A, Power dissipation: 103W, Case: TO220-3, Gate-source voltage: ±20V, On-state resistance: 9.5mΩ, Mounting: THT, Gate charge: 38nC, Kind of package: tube, Kind of channel: enhancement.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
TK34E10N1 Toshiba MOSFETs
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TK34E10N1
Hersteller: Toshiba
MOSFETs
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