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TK34E10N1,S1X(S

TK34E10N1,S1X(S TOSHIBA

TK34E10N1.pdf
Hersteller: TOSHIBA
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 75A; 103W; TO220-3
Case: TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: THT
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Drain current: 75A
Drain-source voltage: 100V
Gate-source voltage: ±20V
Gate charge: 38nC
On-state resistance: 9.5mΩ
Power dissipation: 103W
Kind of channel: enhancement
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Technische Details TK34E10N1,S1X(S TOSHIBA

Category: THT N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 75A; 103W; TO220-3, Case: TO220-3, Type of transistor: N-MOSFET, Mounting: THT, Kind of package: tube, Polarisation: unipolar, Drain current: 75A, Drain-source voltage: 100V, Gate-source voltage: ±20V, Gate charge: 38nC, On-state resistance: 9.5mΩ, Power dissipation: 103W, Kind of channel: enhancement.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
TK34E10N1 Toshiba MOSFETs
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TK34E10N1
Hersteller: Toshiba
MOSFETs
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