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TK3R2A10PL,S4X(S

TK3R2A10PL,S4X(S Toshiba

tk3r2a10pl_datasheet_en_20210127.pdf Hersteller: Toshiba
Trans MOSFET N-CH Si 100V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS
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Technische Details TK3R2A10PL,S4X(S Toshiba

Description: TOSHIBA - TK3R2A10PL,S4X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 106 A, 0.0026 ohm, TO-220SIS, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 106A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 54W, Bauform - Transistor: TO-220SIS, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0026ohm, SVHC: To Be Advised.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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TK3R2A10PL,S4X(S TK3R2A10PL,S4X(S Hersteller : TOSHIBA 3934712.pdf Description: TOSHIBA - TK3R2A10PL,S4X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 106 A, 0.0026 ohm, TO-220SIS, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 106A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 54W
Bauform - Transistor: TO-220SIS
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0026ohm
SVHC: To Be Advised
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TK3R2A10PL,S4X(S Hersteller : Toshiba tk3r2a10pl_datasheet_en_20210127.pdf Silicon N-channel MOS
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TK3R2A10PL,S4X(S Hersteller : Toshiba PWR-MOSFET N-CHANNEL
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