TK4A60D Toshiba

Description: TOSHIBA - TK4A60D - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 4 A, 1.4 ohm, TO-220, Durchsteckmontage, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600, Dauer-Drainstrom Id: 4, Rds(on)-Messspannung Vgs: 10, Verlustleistung Pd: 35, Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3, Produktpalette: -, Wandlerpolarität: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 1.4, Betriebstemperatur, max.: 150, Schwellenspannung Vgs: 2.4, SVHC: No SVHC (15-Jun-2015).