TK4P60DA,RQ(S2 TOSHIBA

Description: TOSHIBA - TK4P60DA,RQ(S2            - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 3.5 A, 1.7 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: NO, Dauer-Drainstrom Id: 3.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: NO, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 80W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 80W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 1.7ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.7ohm, SVHC: To Be Advised.