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TK4P60DA,RQ(S2

TK4P60DA,RQ(S2 TOSHIBA

2921003.pdf
Hersteller: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TK4P60DA,RQ(S2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 3.5 A, 2.2 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
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Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
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Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.2ohm
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 1973 Stücke:
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Technische Details TK4P60DA,RQ(S2 TOSHIBA

Description: TOSHIBA - TK4P60DA,RQ(S2            - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 3.5 A, 1.7 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: NO, Dauer-Drainstrom Id: 3.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: NO, Qualifikation: -, isCanonical: N, Verlustleistung Pd: 80W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V, Verlustleistung: 80W, SVHC: To Be Advised, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 1.7ohm, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.7ohm.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
TK4P60DA,RQ(S2            TK4P60DA,RQ(S2            TOSHIBA Description: TOSHIBA - TK4P60DA,RQ(S2            - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 3.5 A, 1.7 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
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auf Bestellung 4609 Stücke:
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TK4P60DA,RQ(S2            TK4P60DA,RQ(S2            TOSHIBA Description: TOSHIBA - TK4P60DA,RQ(S2            - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 3.5 A, 1.7 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
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TK4P60DA,RQ(S2           
TK4P60DA,RQ(S2           
Hersteller: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TK4P60DA,RQ(S2            - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 3.5 A, 1.7 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
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Description: TOSHIBA - TK4P60DA,RQ(S2            - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 3.5 A, 1.7 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
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