TK4R3E06PL,S1X(S TOSHIBA
Hersteller: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TK4R3E06PL,S1X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 80 A, 3300 µohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 80A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 87W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3300µohm
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 40+ | 6.38 EUR |
| 61+ | 3.81 EUR |
| 100+ | 2.19 EUR |
| 500+ | 1.82 EUR |
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Technische Details TK4R3E06PL,S1X(S TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TK4R3E06PL,S1X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 80 A, 3300 µohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 80A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, Verlustleistung: 87W, SVHC: To Be Advised, Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3300µohm.
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde |
|---|---|---|---|---|---|
| TK4R3E06PL,S1X(S | Toshiba | TK4R3E06PL,S1X(S |
auf Bestellung 15 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 11 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| TK4R3E06PL,S1X(S |
Hersteller: Toshiba
TK4R3E06PL,S1X(S
TK4R3E06PL,S1X(S
auf Bestellung 15 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)