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TK4R4P06PL,RQ

TK4R4P06PL,RQ Toshiba

tk4r4p06pl_datasheet_en_20210127.pdf Hersteller: Toshiba
Trans MOSFET N-CH Si 60V 106A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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Technische Details TK4R4P06PL,RQ Toshiba

Description: MOSFET N-CHANNEL 60V 58A DPAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 175°C, Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 58A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4mOhm @ 29A, 10V, Power Dissipation (Max): 87W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 500µA, Supplier Device Package: DPAK, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48.2 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3280 pF @ 30 V.

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TK4R4P06PL,RQ TK4R4P06PL,RQ Hersteller : Toshiba tk4r4p06pl_datasheet_en_20210127.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 106A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 58A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4mOhm @ 29A, 10V
Power Dissipation (Max): 87W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 500µA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3280 pF @ 30 V
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TK4R4P06PL,RQ TK4R4P06PL,RQ Hersteller : Toshiba Semiconductor and Storage TK4R4P06PL_datasheet_en_20210127.pdf?did=56993&prodName=TK4R4P06PL Description: MOSFET N-CHANNEL 60V 58A DPAK
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FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 58A (Tc)
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Power Dissipation (Max): 87W (Tc)
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Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3280 pF @ 30 V
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TK4R4P06PL,RQ TK4R4P06PL,RQ Hersteller : Toshiba TK4R4P06PL_datasheet_en_20210127-1142570.pdf MOSFET N-Ch 60V 3280pF 48.2nC 106A 87W
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