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TK4R9E15Q5,S1X

TK4R9E15Q5,S1X Toshiba

docget.pdf Hersteller: Toshiba
Silicon N-channel MOSFET
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Technische Details TK4R9E15Q5,S1X Toshiba

Description: 150V UMOS10-HSD TO-220 4.9MOHM, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: 175°C, Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.9mOhm @ 50A, 10V, Power Dissipation (Max): 300W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 2.2mA, Supplier Device Package: TO-220, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 96 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7820 pF @ 75 V.

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TK4R9E15Q5,S1X TK4R9E15Q5,S1X Hersteller : Toshiba docget.pdf Silicon N-channel MOSFET
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TK4R9E15Q5,S1X TK4R9E15Q5,S1X Hersteller : Toshiba Semiconductor and Storage TK4R9E15Q5_datasheet_en_20240617.pdf?did=158311&prodName=TK4R9E15Q5 Description: 150V UMOS10-HSD TO-220 4.9MOHM
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.9mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 2.2mA
Supplier Device Package: TO-220
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 96 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7820 pF @ 75 V
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TK4R9E15Q5,S1X TK4R9E15Q5,S1X Hersteller : Toshiba TK4R9E15Q5_datasheet_en_20240617-3498640.pdf MOSFETs TO220 150V 2.2A N-CH
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