TK5R1P08QM,RQ(S2 TOSHIBA
Hersteller: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TK5R1P08QM,RQ(S2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 105 A, 4200 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 105A
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Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
Verlustleistung: 104W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: U-MOSX-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4200µohm
| Anzahl | Privatkunde |
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| 100+ | 3.57 EUR |
| 105+ | 2.05 EUR |
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Technische Details TK5R1P08QM,RQ(S2 TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TK5R1P08QM,RQ(S2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 105 A, 4200 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 80V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 105A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V, Verlustleistung: 104W, SVHC: To Be Advised, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: U-MOSX-H Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4200µohm.
Weitere Produktangebote TK5R1P08QM,RQ(S2 nach Preis ab 2.05 EUR bis 5.97 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||
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TK5R1P08QM,RQ(S2 | TOSHIBA |
Description: TOSHIBA - TK5R1P08QM,RQ(S2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 105 A, 4200 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 105A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V Verlustleistung: 104W SVHC: To Be Advised Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: U-MOSX-H Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4200µohm |
auf Bestellung 268 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| TK5R1P08QM,RQ(S2 |
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Hersteller: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TK5R1P08QM,RQ(S2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 105 A, 4200 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
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Produktpalette: U-MOSX-H Series
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usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
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Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4200µohm
Description: TOSHIBA - TK5R1P08QM,RQ(S2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 105 A, 4200 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
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Produktpalette: U-MOSX-H Series
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Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4200µohm
auf Bestellung 268 Stücke:
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| Anzahl | Privatkunde |
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| 42+ | 5.97 EUR |
| 65+ | 3.57 EUR |
| 105+ | 2.05 EUR |