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TK60J25D,S1Q(O Toshiba


69tk60j25d_en_datasheet_111010.pdf
Hersteller: Toshiba
Trans MOSFET N-CH Si 250V 60A 3-Pin(3+Tab) TO-3PN
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Technische Details TK60J25D,S1Q(O Toshiba

Description: TOSHIBA - TK60J25D,S1Q(O - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 60 A, 0.0285 ohm, TO-3PN, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 250V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 60A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V, Verlustleistung: 410W, SVHC: To Be Advised, Bauform - Transistor: TO-3PN, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0285ohm.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
TK60J25D,S1Q(O TK60J25D,S1Q(O TOSHIBA Description: TOSHIBA - TK60J25D,S1Q(O - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 60 A, 0.0285 ohm, TO-3PN, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
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Verlustleistung: 410W
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Bauform - Transistor: TO-3PN
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
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usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0285ohm
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TK60J25D,S1Q(O
Hersteller: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TK60J25D,S1Q(O - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 60 A, 0.0285 ohm, TO-3PN, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
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Drain-Source-Spannung Vds: 250V
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Qualifikation: -
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Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
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SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TO-3PN
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
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usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0285ohm
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