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Technische Details TK62J60W,S1VQ(O Toshiba
Category: THT N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 61.8A; 400W; TO3PN, Type of transistor: N-MOSFET, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 600V, Drain current: 61.8A, Power dissipation: 400W, Case: TO3PN, Gate-source voltage: ±30V, On-state resistance: 40mΩ, Mounting: THT, Gate charge: 180nC, Kind of package: tube, Kind of channel: enhancement.
Weitere Produktangebote TK62J60W,S1VQ(O
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde |
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TK62J60W,S1VQ(O | Toshiba |
 Trans MOSFET N-CH Si 600V 61.8A 3-Pin(3+Tab) TO-3PN |
auf Bestellung 13 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| TK62J60W,S1VQ(O |
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Hersteller: Toshiba
Trans MOSFET N-CH Si 600V 61.8A 3-Pin(3+Tab) TO-3PN
Trans MOSFET N-CH Si 600V 61.8A 3-Pin(3+Tab) TO-3PN
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Lieferzeit 14-21 Tag (e)