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TK62J60W,S1VQ

TK62J60W,S1VQ Toshiba

tk62j60w_datasheet_en_20140105.pdf Hersteller: Toshiba
Trans MOSFET N-CH Si 600V 61.8A 3-Pin(3+Tab) TO-3PN
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Technische Details TK62J60W,S1VQ Toshiba

Description: MOSFET N-CH 600V 61.8A TO3P, Packaging: Tube, Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 61.8A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 30.9A, 10V, Power Dissipation (Max): 400W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 3.1mA, Supplier Device Package: TO-3P(N), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6500 pF @ 300 V.

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TK62J60W,S1VQ TK62J60W,S1VQ Hersteller : Toshiba tk62j60w_datasheet_en_20140105.pdf Trans MOSFET N-CH Si 600V 61.8A 3-Pin(3+Tab) TO-3PN
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TK62J60W,S1VQ TK62J60W,S1VQ Hersteller : Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=13559&prodName=TK62J60W Description: MOSFET N-CH 600V 61.8A TO3P
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 61.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 30.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 400W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 3.1mA
Supplier Device Package: TO-3P(N)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6500 pF @ 300 V
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TK62J60W,S1VQ TK62J60W,S1VQ Hersteller : Toshiba TK62J60W_datasheet_en_20140105-1139946.pdf MOSFET N-Ch 61.8A 400W FET 600V 3500pF 180nC
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