TK65S04N1L,LQ(O Toshiba
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 2000+ | 1.49 EUR |
| 4000+ | 1.38 EUR |
| 6000+ | 1.32 EUR |
| 8000+ | 1.25 EUR |
| 10000+ | 1.19 EUR |
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Technische Details TK65S04N1L,LQ(O Toshiba
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 65A; 107W; DPAK; ESD, Type of transistor: N-MOSFET, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 40V, Drain current: 65A, Power dissipation: 107W, Case: DPAK, Gate-source voltage: ±20V, On-state resistance: 7.8mΩ, Mounting: SMD, Gate charge: 39nC, Kind of package: reel; tape, Kind of channel: enhancement, Version: ESD.
Weitere Produktangebote TK65S04N1L,LQ(O nach Preis ab 1.12 EUR bis 1.51 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||
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TK65S04N1L,LQ(O | Toshiba |
 Trans MOSFET N-CH Si 40V 65A 3-Pin(2+Tab) DPAK+ T/R Automotive AEC-Q101 |
auf Bestellung 12000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| TK65S04N1L,LQ(O |
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Hersteller: Toshiba
Trans MOSFET N-CH Si 40V 65A 3-Pin(2+Tab) DPAK+ T/R Automotive AEC-Q101
Trans MOSFET N-CH Si 40V 65A 3-Pin(2+Tab) DPAK+ T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
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| 2000+ | 1.51 EUR |
| 4000+ | 1.37 EUR |
| 6000+ | 1.3 EUR |
| 8000+ | 1.19 EUR |
| 10000+ | 1.12 EUR |