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TK6A80E,S4X(S

TK6A80E,S4X(S TOSHIBA

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Hersteller: TOSHIBA
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 6A; Idm: 18A; 45W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 6A
Pulsed drain current: 18A
Power dissipation: 45W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.35Ω
Mounting: THT
Gate charge: 32nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
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Technische Details TK6A80E,S4X(S TOSHIBA

Category: THT N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 6A; Idm: 18A; 45W; TO220FP, Type of transistor: N-MOSFET, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 800V, Drain current: 6A, Pulsed drain current: 18A, Power dissipation: 45W, Case: TO220FP, Gate-source voltage: ±30V, On-state resistance: 1.35Ω, Mounting: THT, Gate charge: 32nC, Kind of package: tube, Kind of channel: enhancement.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
TK6A80E Toshiba MOSFETs
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TK6A80E
Hersteller: Toshiba
MOSFETs
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