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TK7A90E,S4X(S Toshiba

Name: TK7A90E,S4X(S
Brand: Toshiba
SKU: 43329574-5
Price: 192.00 EUR
Availability: InStock

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Hersteller: Toshiba
Trans MOSFET N-CH Si 900V 7A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Tube

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Technische Details TK7A90E,S4X(S Toshiba

Category: THT N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 7A; Idm: 21A; 45W; TO220FP, Type of transistor: N-MOSFET, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 900V, Drain current: 7A, Pulsed drain current: 21A, Power dissipation: 45W, Case: TO220FP, Gate-source voltage: ±30V, On-state resistance: 2Ω, Mounting: THT, Gate charge: 32nC, Kind of package: tube, Kind of channel: enhancement.

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Foto	Bezeichnung	Hersteller	Beschreibung	Verfügbarkeit	Privatkunde
	TK7A90E,S4X(S	Toshiba		Produkt ist nicht verfügbar Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
	TK7A90E,S4X(S	TOSHIBA	Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 7A; Idm: 21A; 45W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 900V Drain current: 7A Pulsed drain current: 21A Power dissipation: 45W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 2Ω Mounting: THT Gate charge: 32nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement	Produkt ist nicht verfügbar Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

TK7A90E,S4X(S

Hersteller: Toshiba

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TK7A90E,S4X(S

Hersteller: TOSHIBA
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 7A; Idm: 21A; 45W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 7A
Pulsed drain current: 21A
Power dissipation: 45W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2Ω
Mounting: THT
Gate charge: 32nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement

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