TK7J90E,S1E(S TOSHIBA
Hersteller: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TK7J90E,S1E(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 900 V, 7 A, 1.6 ohm, TO-3P, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 900V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 200W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TO-3P
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.6ohm
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 32+ | 7.84 EUR |
| 47+ | 4.99 EUR |
| 100+ | 3.51 EUR |
| 500+ | 3 EUR |
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Technische Details TK7J90E,S1E(S TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TK7J90E,S1E(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 900 V, 7 A, 1.6 ohm, TO-3P, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 900V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 7A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, Verlustleistung: 200W, SVHC: To Be Advised, Bauform - Transistor: TO-3P, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.6ohm.
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde |
|---|---|---|---|---|---|
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TK7J90E,S1E(S | Toshiba |
Trans MOSFET N-CH Si 900V 7A 3-Pin(3+Tab) TO-3PN |
auf Bestellung 2 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| TK7J90E,S1E(S |
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Hersteller: Toshiba
Trans MOSFET N-CH Si 900V 7A 3-Pin(3+Tab) TO-3PN
Trans MOSFET N-CH Si 900V 7A 3-Pin(3+Tab) TO-3PN
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)