| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 118+ | 1.48 EUR |
| 147+ | 1.17 EUR |
| 200+ | 1.01 EUR |
| 500+ | 0.87 EUR |
| 1000+ | 0.81 EUR |
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Technische Details TK7P60W,RVQ(S Toshiba
Description: TOSHIBA - TK7P60W,RVQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 7 A, 0.5 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 7A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 60W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 60W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.5ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.5ohm, SVHC: To Be Advised.
Weitere Produktangebote TK7P60W,RVQ(S nach Preis ab 1.21 EUR bis 6.84 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||
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TK7P60W,RVQ(S | TOSHIBA |
 Description: TOSHIBA - TK7P60W,RVQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 7 A, 0.5 ohm, TO-252 (DPAK), OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 60W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 60W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.5ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.5ohm SVHC: To Be Advised |
auf Bestellung 819 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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TK7P60W,RVQ(S | TOSHIBA |
Description: TOSHIBA - TK7P60W,RVQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 7 A, 0.5 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V Verlustleistung: 60W SVHC: To Be Advised Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.5ohm |
auf Bestellung 719 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| TK7P60W,RVQ(S |
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Hersteller: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TK7P60W,RVQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 7 A, 0.5 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
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Dauer-Drainstrom Id: 7A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 60W
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Verlustleistung: 60W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.5ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.5ohm
SVHC: To Be Advised
Description: TOSHIBA - TK7P60W,RVQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 7 A, 0.5 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
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Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 60W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 60W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.5ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.5ohm
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 819 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 100+ | 4 EUR |
| 104+ | 2.24 EUR |
| 137+ | 1.57 EUR |
| 500+ | 1.21 EUR |
| TK7P60W,RVQ(S |
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Hersteller: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TK7P60W,RVQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 7 A, 0.5 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
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Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.5ohm
Description: TOSHIBA - TK7P60W,RVQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 7 A, 0.5 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
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Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
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Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V
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SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
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Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.5ohm
auf Bestellung 719 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 37+ | 6.84 EUR |
| 64+ | 3.64 EUR |
| 112+ | 1.92 EUR |
| 500+ | 1.54 EUR |