Produkte > TOSHIBA > TK7P65W,RQ(S
TK7P65W,RQ(S

TK7P65W,RQ(S TOSHIBA


Hersteller: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TK7P65W,RQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 6.8 A, 0.66 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 6.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 60W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.66ohm
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 1958 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Technische Details TK7P65W,RQ(S TOSHIBA

Description: TOSHIBA - TK7P65W,RQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 6.8 A, 0.66 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 6.8A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 60W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.66ohm, SVHC: To Be Advised.

Weitere Produktangebote TK7P65W,RQ(S

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
TK7P65W,RQ(S TK7P65W,RQ(S Hersteller : TOSHIBA Description: TOSHIBA - TK7P65W,RQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 6.8 A, 0.66 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 6.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 60W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.66ohm
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 1958 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK7P65W,RQ(S Hersteller : Toshiba 6969docget.jspdid15525prodnametk7p65w.jspdid15525prodnametk7p65w.pdf Silicon N-Channel MOS
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH