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Technische Details TK9J90E,S1E(S Toshiba
Category: THT N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 9A; 250W; TO3PN, Type of transistor: N-MOSFET, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 900V, Drain current: 9A, Power dissipation: 250W, Case: TO3PN, Gate-source voltage: ±30V, On-state resistance: 1.3Ω, Mounting: THT, Gate charge: 46nC, Kind of package: tube, Kind of channel: enhancement.
Weitere Produktangebote TK9J90E,S1E(S
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde |
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TK9J90E,S1E(S | Toshiba |
 Trans MOSFET N-CH Si 900V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-3PN |
auf Bestellung 25 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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TK9J90E,S1E(S | Toshiba |
Trans MOSFET N-CH Si 900V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-3PN |
auf Bestellung 25 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 5 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| TK9J90E,S1E(S |
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Hersteller: Toshiba
Trans MOSFET N-CH Si 900V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-3PN
Trans MOSFET N-CH Si 900V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-3PN
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Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| TK9J90E,S1E(S |
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Hersteller: Toshiba
Trans MOSFET N-CH Si 900V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-3PN
Trans MOSFET N-CH Si 900V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-3PN
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