TK9J90E,S1E(S TOSHIBA
Hersteller: TOSHIBACategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 9A; 250W; TO3PN
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 9A
Case: TO3PN
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.3Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 250W
Gate charge: 46nC
auf Bestellung 173 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 15+ | 4.85 EUR |
| 17+ | 4.36 EUR |
| 22+ | 3.35 EUR |
| 23+ | 3.16 EUR |
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Technische Details TK9J90E,S1E(S TOSHIBA
Category: THT N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 9A; 250W; TO3PN, Type of transistor: N-MOSFET, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 900V, Drain current: 9A, Case: TO3PN, Gate-source voltage: ±30V, On-state resistance: 1.3Ω, Mounting: THT, Kind of package: tube, Kind of channel: enhancement, Power dissipation: 250W, Gate charge: 46nC, Anzahl je Verpackung: 1 Stücke.
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TK9J90E,S1E(S | Hersteller : TOSHIBA |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 9A; 250W; TO3PN Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 900V Drain current: 9A Case: TO3PN Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 1.3Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Power dissipation: 250W Gate charge: 46nC Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 173 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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TK9J90E,S1E(S | Hersteller : Toshiba |
Trans MOSFET N-CH Si 900V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-3PN |
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