Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben
Technische Details TK9J90E,S1E(S Toshiba
Category: THT N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 9A; 250W; TO3PN, Type of transistor: N-MOSFET, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 900V, Drain current: 9A, Case: TO3PN, Gate-source voltage: ±30V, On-state resistance: 1.3Ω, Mounting: THT, Kind of package: tube, Kind of channel: enhancement, Power dissipation: 250W, Gate charge: 46nC.
Weitere Produktangebote TK9J90E,S1E(S nach Preis ab 14.17 EUR bis 14.17 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||
|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
TK9J90E,S1E(S | TOSHIBA |
 Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 9A; 250W; TO3PN Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 900V Drain current: 9A Case: TO3PN Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 1.3Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Power dissipation: 250W Gate charge: 46nC |
auf Bestellung 6 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||
|
|
TK9J90E,S1E(S | Toshiba |
Trans MOSFET N-CH Si 900V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-3PN |
auf Bestellung 25 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||
|
|
TK9J90E,S1E(S | Toshiba |
Trans MOSFET N-CH Si 900V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-3PN |
auf Bestellung 25 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 5 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| TK9J90E,S1E(S |
|
Hersteller: TOSHIBA
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 9A; 250W; TO3PN
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 9A
Case: TO3PN
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.3Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 250W
Gate charge: 46nC
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 9A; 250W; TO3PN
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 9A
Case: TO3PN
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.3Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 250W
Gate charge: 46nC
auf Bestellung 6 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 6+ | 14.17 EUR |
| TK9J90E,S1E(S |
|
Hersteller: Toshiba
Trans MOSFET N-CH Si 900V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-3PN
Trans MOSFET N-CH Si 900V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-3PN
auf Bestellung 25 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| TK9J90E,S1E(S |
|
Hersteller: Toshiba
Trans MOSFET N-CH Si 900V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-3PN
Trans MOSFET N-CH Si 900V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-3PN
auf Bestellung 25 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)