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TMBT3904,LM

TMBT3904,LM Toshiba Semiconductor and Storage

docget.jsp?did=29706&prodName=TMBT3904 Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS NPN 50V 0.15A SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 320 mW
auf Bestellung 15000 Stücke:
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Anzahl Preis
3000+0.046 EUR
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Technische Details TMBT3904,LM Toshiba Semiconductor and Storage

Description: TRANS NPN 50V 0.15A SOT-23-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V, Frequency - Transition: 300MHz, Supplier Device Package: SOT-23-3, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V, Power - Max: 320 mW.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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TMBT3904,LM TMBT3904,LM Hersteller : Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=29706&prodName=TMBT3904 Description: TRANS NPN 50V 0.15A SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 320 mW
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TMBT3904,LM TMBT3904,LM Hersteller : Toshiba TMBT3904_datasheet_en_20240930-1916423.pdf Bipolar Transistors - BJT Transistor for Low Freq. Amplification
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TMBT3904,LM TMBT3904,LM Hersteller : Toshiba 14007019361616721400698883561457tmbt3904_datasheet_en_20180517.pdf.pdf Trans GP BJT NPN 50V 0.15A 3-Pin SOT-23 T/R
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