
TN0104N3-G MICROCHIP TECHNOLOGY

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 450mA; Idm: 2.4A; 1W; TO92
Mounting: THT
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 0.45A
On-state resistance: 1.8Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1W
Polarisation: unipolar
Kind of package: bulk
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 2.4A
Case: TO92
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 51 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl | Preis |
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48+ | 1.5 EUR |
51+ | 1.4 EUR |
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Technische Details TN0104N3-G MICROCHIP TECHNOLOGY
Description: MICROCHIP - TN0104N3-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 450 mA, 1.5 ohm, TO-92, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 450mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1W, Bauform - Transistor: TO-92, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.5ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Weitere Produktangebote TN0104N3-G nach Preis ab 1.4 EUR bis 1.97 EUR
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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TN0104N3-G | Hersteller : MICROCHIP TECHNOLOGY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 450mA; Idm: 2.4A; 1W; TO92 Mounting: THT Drain-source voltage: 40V Drain current: 0.45A On-state resistance: 1.8Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 1W Polarisation: unipolar Kind of package: bulk Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 2.4A Case: TO92 |
auf Bestellung 51 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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TN0104N3-G | Hersteller : Microchip Technology |
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auf Bestellung 999 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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TN0104N3-G | Hersteller : Microchip Technology |
![]() Packaging: Bag Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 450mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 1A, 10V Power Dissipation (Max): 1W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 500µA Supplier Device Package: TO-92-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 70 pF @ 20 V |
auf Bestellung 1256 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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TN0104N3-G | Hersteller : Microchip Technology |
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auf Bestellung 675 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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TN0104N3-G | Hersteller : MICROCHIP |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 450mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V euEccn: NLR Verlustleistung: 1W Bauform - Transistor: TO-92 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.5ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 546 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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TN0104N3-G Produktcode: 197992
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