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TN0702N3-G

TN0702N3-G Microchip Technology

-enhancement-mode-vertical-dmos-fet-data-sheet-20005941a.pdf Hersteller: Microchip Technology
Trans MOSFET N-CH Si 20V 0.53A 3-Pin TO-92 Bag
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Technische Details TN0702N3-G Microchip Technology

Description: MICROCHIP - TN0702N3-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 530 mA, 1 ohm, TO-92, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 530mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1W, Bauform - Transistor: TO-92, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1ohm, SVHC: No SVHC (14-Jun-2023).

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TN0702N3-G TN0702N3-G Hersteller : MICROCHIP TECHNOLOGY tn0702.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 0.5A; 1W; TO92
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Pulsed drain current: 0.5A
Power dissipation: 1W
Case: TO92
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.3Ω
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Kind of channel: enhanced
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TN0702N3-G TN0702N3-G Hersteller : MICROCHIP TECHNOLOGY tn0702.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 0.5A; 1W; TO92
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Pulsed drain current: 0.5A
Power dissipation: 1W
Case: TO92
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.3Ω
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Kind of channel: enhanced
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TN0702N3-G TN0702N3-G Hersteller : Microchip Technology -enhancement-mode-vertical-dmos-fet-data-sheet-20005941a.pdf Trans MOSFET N-CH Si 20V 0.53A 3-Pin TO-92 Bag
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TN0702N3-G TN0702N3-G Hersteller : Microchip Technology TN0702%20C080813.pdf Description: MOSFET N-CH 20V 530MA TO92-3
Packaging: Bag
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 530mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3Ohm @ 500mA, 5V
Power Dissipation (Max): 1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2V, 5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 200 pF @ 20 V
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25+ 2.04 EUR
100+ 1.83 EUR
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TN0702N3-G TN0702N3-G Hersteller : Microchip Technology TN0702_C080813-965109.pdf MOSFET 20V 1.3Ohm
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TN0702N3-G TN0702N3-G Hersteller : Microchip Technology -enhancement-mode-vertical-dmos-fet-data-sheet-20005941a.pdf Trans MOSFET N-CH Si 20V 0.53A 3-Pin TO-92 Bag
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61+2.57 EUR
250+ 2.19 EUR
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TN0702N3-G TN0702N3-G Hersteller : MICROCHIP TN0702%20C080813.pdf Description: MICROCHIP - TN0702N3-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 530 mA, 1 ohm, TO-92, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 530mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: TO-92
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
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TN0702N3-G TN0702N3-G Hersteller : Microchip Technology -enhancement-mode-vertical-dmos-fet-data-sheet-20005941a.pdf Trans MOSFET N-CH Si 20V 0.53A 3-Pin TO-92 Bag
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TN0702N3-G TN0702N3-G Hersteller : Microchip Technology -enhancement-mode-vertical-dmos-fet-data-sheet-20005941a.pdf Trans MOSFET N-CH Si 20V 0.53A 3-Pin TO-92 Bag
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