TN0702N3-G Microchip Technology
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| 85+ | 2.09 EUR |
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Technische Details TN0702N3-G Microchip Technology
Description: MICROCHIP - TN0702N3-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 530 mA, 1.3 ohm, TO-92, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Durchsteckmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 530mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: -, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V, Verlustleistung: 1W, SVHC: No SVHC (04-Feb-2026), Bauform - Transistor: TO-92, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 5V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.3ohm.
Weitere Produktangebote TN0702N3-G nach Preis ab 1.78 EUR bis 3.34 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||
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TN0702N3-G | Microchip Technology |
 Trans MOSFET N-CH Si 20V 0.53A 3-Pin TO-92 Bag |
auf Bestellung 970 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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TN0702N3-G | Microchip Technology |
Trans MOSFET N-CH Si 20V 0.53A 3-Pin TO-92 Bag |
auf Bestellung 970 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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TN0702N3-G | Microchip Technology |
Trans MOSFET N-CH Si 20V 0.53A 3-Pin TO-92 Bag |
auf Bestellung 594 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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TN0702N3-G | Microchip Technology |
Trans MOSFET N-CH Si 20V 0.53A 3-Pin TO-92 Bag |
auf Bestellung 594 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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TN0702N3-G | Microchip Technology |
MOSFETs 20V 1.3Ohm |
auf Bestellung 1537 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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TN0702N3-G | Microchip Technology |
Description: MOSFET N-CH 20V 530MA TO92-3 Packaging: Bag Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 530mA (Tj) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3Ohm @ 500mA, 5V Power Dissipation (Max): 1W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA Supplier Device Package: TO-92-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2V, 5V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 200 pF @ 20 V |
auf Bestellung 3739 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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TN0702N3-G | MICROCHIP |
Description: MICROCHIP - TN0702N3-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 530 mA, 1.3 ohm, TO-92, Durchsteckmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 530mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V Verlustleistung: 1W SVHC: No SVHC (04-Feb-2026) Bauform - Transistor: TO-92 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 5V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.3ohm |
auf Bestellung 1025 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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TN0702N3-G | MICROCHIP TECHNOLOGY |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 530mA; Idm: 1A; 1W; TO92 Kind of package: bulk Case: TO92 On-state resistance: 1.3Ω Mounting: THT Manufacturer standard package: 1000pcs. Pulsed drain current: 1A Power dissipation: 1W Polarisation: unipolar Drain current: 0.53A Kind of channel: enhancement Drain-source voltage: 20V Type of transistor: N-MOSFET Gate-source voltage: ±20V |
auf Bestellung 27 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| TN0702N3-G |
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Hersteller: Microchip Technology
Trans MOSFET N-CH Si 20V 0.53A 3-Pin TO-92 Bag
Trans MOSFET N-CH Si 20V 0.53A 3-Pin TO-92 Bag
auf Bestellung 970 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 70+ | 2.55 EUR |
| TN0702N3-G |
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Hersteller: Microchip Technology
Trans MOSFET N-CH Si 20V 0.53A 3-Pin TO-92 Bag
Trans MOSFET N-CH Si 20V 0.53A 3-Pin TO-92 Bag
auf Bestellung 970 Stücke:
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| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 70+ | 2.55 EUR |
| TN0702N3-G |
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Hersteller: Microchip Technology
Trans MOSFET N-CH Si 20V 0.53A 3-Pin TO-92 Bag
Trans MOSFET N-CH Si 20V 0.53A 3-Pin TO-92 Bag
auf Bestellung 594 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 67+ | 2.65 EUR |
| TN0702N3-G |
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Hersteller: Microchip Technology
Trans MOSFET N-CH Si 20V 0.53A 3-Pin TO-92 Bag
Trans MOSFET N-CH Si 20V 0.53A 3-Pin TO-92 Bag
auf Bestellung 594 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 67+ | 2.65 EUR |
| TN0702N3-G |
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Hersteller: Microchip Technology
MOSFETs 20V 1.3Ohm
MOSFETs 20V 1.3Ohm
auf Bestellung 1537 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 2+ | 2.75 EUR |
| 25+ | 2.28 EUR |
| 100+ | 2.05 EUR |
| TN0702N3-G |
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Hersteller: Microchip Technology
Description: MOSFET N-CH 20V 530MA TO92-3
Packaging: Bag
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 530mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3Ohm @ 500mA, 5V
Power Dissipation (Max): 1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2V, 5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 200 pF @ 20 V
Description: MOSFET N-CH 20V 530MA TO92-3
Packaging: Bag
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 530mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3Ohm @ 500mA, 5V
Power Dissipation (Max): 1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2V, 5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 200 pF @ 20 V
auf Bestellung 3739 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 8+ | 2.83 EUR |
| 25+ | 2.36 EUR |
| 100+ | 2.12 EUR |
| TN0702N3-G |
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Hersteller: MICROCHIP
Description: MICROCHIP - TN0702N3-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 530 mA, 1.3 ohm, TO-92, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 530mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 1W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-92
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.3ohm
Description: MICROCHIP - TN0702N3-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 530 mA, 1.3 ohm, TO-92, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 530mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 1W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-92
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.3ohm
auf Bestellung 1025 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 75+ | 3.34 EUR |
| 79+ | 2.98 EUR |
| 100+ | 2.4 EUR |
| 1000+ | 1.78 EUR |
| TN0702N3-G |
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Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 530mA; Idm: 1A; 1W; TO92
Kind of package: bulk
Case: TO92
On-state resistance: 1.3Ω
Mounting: THT
Manufacturer standard package: 1000pcs.
Pulsed drain current: 1A
Power dissipation: 1W
Polarisation: unipolar
Drain current: 0.53A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 20V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 530mA; Idm: 1A; 1W; TO92
Kind of package: bulk
Case: TO92
On-state resistance: 1.3Ω
Mounting: THT
Manufacturer standard package: 1000pcs.
Pulsed drain current: 1A
Power dissipation: 1W
Polarisation: unipolar
Drain current: 0.53A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 20V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
auf Bestellung 27 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)