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TN2435N8-G

TN2435N8-G Microchip Technology

TN2435-N-Channel-Enhancement-Mode-Vertical-DMOS-FET-Data-Sheet-20005946A.pdf Hersteller: Microchip Technology
Description: MOSFET N-CH 350V 365MA TO243AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 365mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 750mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-243AA (SOT-89)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 350 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 200 pF @ 25 V
auf Bestellung 4000 Stücke:
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Technische Details TN2435N8-G Microchip Technology

Description: MOSFET N-CH 350V 365MA TO243AA, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-243AA, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 365mA (Tj), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 750mA, 10V, Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA, Supplier Device Package: TO-243AA (SOT-89), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 350 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 200 pF @ 25 V.

Weitere Produktangebote TN2435N8-G nach Preis ab 1.77 EUR bis 2.53 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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TN2435N8-G TN2435N8-G Hersteller : Microchip Technology tn2435.pdf Trans MOSFET N-CH Si 350V 0.365A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
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TN2435N8-G TN2435N8-G Hersteller : Microchip Technology TN2435-N-Channel-Enhancement-Mode-Vertical-DMOS-FET-Data-Sheet-20005946A.pdf Description: MOSFET N-CH 350V 365MA TO243AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 365mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 750mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-243AA (SOT-89)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 350 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 200 pF @ 25 V
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TN2435N8-G TN2435N8-G Hersteller : Microchip Technology TN2435_N_Channel_Enhancement_Mode_Vertical_DMOS_FET_Data_Sheet_20005946A.pdf MOSFETs 350V 10Ohm
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TN2435N8-G TN2435N8-G Hersteller : Microchip Technology tn2435.pdf Trans MOSFET N-CH Si 350V 0.365A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
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