TN2501N8-G

TN2501N8-G Microchip Technology


TN2501_N_Channel_Enhancement_Mode_Vertical_DMOS_FE-2942468.pdf Hersteller: Microchip Technology
MOSFET 18V 2.5Ohm
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Technische Details TN2501N8-G Microchip Technology

Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 18V; 0.25A; 1.6W; SOT89-3, Type of transistor: N-MOSFET, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 18V, Pulsed drain current: 0.25A, Power dissipation: 1.6W, Case: SOT89-3, Gate-source voltage: ±20V, On-state resistance: 2.5Ω, Mounting: SMD, Kind of channel: enhanced, Anzahl je Verpackung: 1 Stücke.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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TN2501N8-G TN2501N8-G Hersteller : MICROCHIP TECHNOLOGY tn2501.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 18V; 0.25A; 1.6W; SOT89-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 18V
Pulsed drain current: 0.25A
Power dissipation: 1.6W
Case: SOT89-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.5Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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TN2501N8-G TN2501N8-G Hersteller : Microchip Technology filehandler.aspx?ddocname=en570663 Description: MOSFET N-CH 18V 400MA SOT89-3
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TN2501N8-G TN2501N8-G Hersteller : MICROCHIP TECHNOLOGY tn2501.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 18V; 0.25A; 1.6W; SOT89-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 18V
Pulsed drain current: 0.25A
Power dissipation: 1.6W
Case: SOT89-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.5Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
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