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TN2524N8-G

TN2524-N-Channel-Enhancement-Mode-Vertical-DMOS-FET-Data-Sheet-20005952A.pdf
Produktcode: 131242
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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
TN2524N8-G TN2524N8-G MICROCHIP 2374115.pdf Description: MICROCHIP - TN2524N8-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 240 V, 360 mA, 6 ohm, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 240V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 360mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 1.6W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SOT-89
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6ohm
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2000+1.81 EUR
Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
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TN2524N8-G TN2524N8-G Microchip Technology -enhancement-mode-vertical-dmos-fet-data-sheet-20005952a.pdf Trans MOSFET N-CH Si 240V 0.36A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2000+2.02 EUR
Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
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TN2524N8-G TN2524N8-G Microchip Technology -enhancement-mode-vertical-dmos-fet-data-sheet-20005952a.pdf Trans MOSFET N-CH Si 240V 0.36A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2000+2.02 EUR
Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
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TN2524N8-G TN2524N8-G Microchip Technology -enhancement-mode-vertical-dmos-fet-data-sheet-20005952a.pdf Trans MOSFET N-CH Si 240V 0.36A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
500+2.45 EUR
2000+2.39 EUR
4000+2.32 EUR
Mindestbestellmenge: 500 Stücke
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TN2524N8-G TN2524N8-G Microchip Technology -enhancement-mode-vertical-dmos-fet-data-sheet-20005952a.pdf Trans MOSFET N-CH Si 240V 0.36A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
auf Bestellung 6785 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
66+2.7 EUR
67+2.58 EUR
81+2.06 EUR
100+1.95 EUR
250+1.84 EUR
500+1.75 EUR
1000+1.65 EUR
3000+1.63 EUR
6000+1.61 EUR
Mindestbestellmenge: 66 Stücke
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TN2524N8-G TN2524N8-G Microchip Technology -enhancement-mode-vertical-dmos-fet-data-sheet-20005952a.pdf Trans MOSFET N-CH Si 240V 0.36A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
auf Bestellung 6785 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
66+2.7 EUR
67+2.63 EUR
81+2.13 EUR
100+2.06 EUR
250+2 EUR
500+1.95 EUR
1000+1.88 EUR
3000+1.86 EUR
6000+1.83 EUR
Mindestbestellmenge: 66 Stücke
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TN2524N8-G TN2524N8-G Microchip Technology TN2524-N-Channel-Enhancement-Mode-Vertical-DMOS-FET-Data-Sheet-20005952A.pdf MOSFETs 240V 6Ohm
auf Bestellung 2397 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.76 EUR
25+2.31 EUR
100+2.07 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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TN2524N8-G TN2524N8-G Microchip Technology -enhancement-mode-vertical-dmos-fet-data-sheet-20005952a.pdf Trans MOSFET N-CH Si 240V 0.36A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
auf Bestellung 200 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
62+2.88 EUR
Mindestbestellmenge: 62 Stücke
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TN2524N8-G TN2524N8-G Microchip Technology TN2524-N-Channel-Enhancement-Mode-Vertical-DMOS-FET-Data-Sheet-20005952A.pdf Description: MOSFET N-CH 240V 360MA TO243AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 360mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-243AA (SOT-89)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 240 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 125 pF @ 25 V
auf Bestellung 455 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
8+2.98 EUR
25+2.46 EUR
100+2.21 EUR
Mindestbestellmenge: 8 Stücke
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TN2524N8-G TN2524N8-G MICROCHIP TECHNOLOGY TN2524-N-Channel-Enhancement-Mode-Vertical-DMOS-FET-Data-Sheet-20005952A.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 240V; 360mA; Idm: 2A; 1.6W; SOT89-3
Mounting: SMD
Manufacturer standard package: 2000pcs.
Pulsed drain current: 2A
Power dissipation: 1.6W
Polarisation: unipolar
Drain current: 0.36A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 240V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Case: SOT89-3
On-state resistance: 6Ω
auf Bestellung 180 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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TN2524N8-G 2374115.pdf
TN2524N8-G
Hersteller: MICROCHIP
Description: MICROCHIP - TN2524N8-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 240 V, 360 mA, 6 ohm, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 240V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 360mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 1.6W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SOT-89
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6ohm
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2000+1.81 EUR
Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
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TN2524N8-G -enhancement-mode-vertical-dmos-fet-data-sheet-20005952a.pdf
TN2524N8-G
Hersteller: Microchip Technology
Trans MOSFET N-CH Si 240V 0.36A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2000+2.02 EUR
Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
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TN2524N8-G -enhancement-mode-vertical-dmos-fet-data-sheet-20005952a.pdf
TN2524N8-G
Hersteller: Microchip Technology
Trans MOSFET N-CH Si 240V 0.36A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2000+2.02 EUR
Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
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TN2524N8-G
Hersteller: Microchip Technology
Trans MOSFET N-CH Si 240V 0.36A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
500+2.45 EUR
2000+2.39 EUR
4000+2.32 EUR
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TN2524N8-G
Hersteller: Microchip Technology
Trans MOSFET N-CH Si 240V 0.36A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
auf Bestellung 6785 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
66+2.7 EUR
67+2.58 EUR
81+2.06 EUR
100+1.95 EUR
250+1.84 EUR
500+1.75 EUR
1000+1.65 EUR
3000+1.63 EUR
6000+1.61 EUR
Mindestbestellmenge: 66 Stücke
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Trans MOSFET N-CH Si 240V 0.36A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
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AnzahlPrivatkunde
66+2.7 EUR
67+2.63 EUR
81+2.13 EUR
100+2.06 EUR
250+2 EUR
500+1.95 EUR
1000+1.88 EUR
3000+1.86 EUR
6000+1.83 EUR
Mindestbestellmenge: 66 Stücke
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MOSFETs 240V 6Ohm
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25+2.31 EUR
100+2.07 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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auf Bestellung 200 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
62+2.88 EUR
Mindestbestellmenge: 62 Stücke
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Hersteller: Microchip Technology
Description: MOSFET N-CH 240V 360MA TO243AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 360mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-243AA (SOT-89)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 240 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 125 pF @ 25 V
auf Bestellung 455 Stücke:
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100+2.21 EUR
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Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 240V; 360mA; Idm: 2A; 1.6W; SOT89-3
Mounting: SMD
Manufacturer standard package: 2000pcs.
Pulsed drain current: 2A
Power dissipation: 1.6W
Polarisation: unipolar
Drain current: 0.36A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 240V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Case: SOT89-3
On-state resistance: 6Ω
auf Bestellung 180 Stücke:
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH